Igbt IKW25N120T2
Igbt IKW25N120T2
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivaju?om antiparalelnom diodom. Vreme podnoenja kratkog spoja je 10uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, to mu daje mogu?nost upotrebe u veoma irokom dijapazonu razli?itih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 110 C | (A) | 25 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 100 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 349 |
Ku?ite |
| TO-247 -3 |
- : 2410
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW30-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
28 Product(s) Sold
- 581 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 521 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Nema na lageruVce (napon kolektor-emiter)(V)1000V+/-Vge (napon gejt-emiter)(V) 25Ic (struja ko..
606 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
519 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umere..
539 RSD