Igbt SGP15N120
Igbt SGP15N120
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umereno pove?anje Eoff sa temperaturom (?ak 40% nii od prethodne generacije) i veoma iroka distribucija parametra. Primarna namena mu je u konstrukciji SMPS uredjaja, svi inverterski uredjaji, kao i u kontroli rada motora.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) | 15 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 52 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 198 |
Ku?ite |
| TO-220 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25C "A" | 30 |
| Integrisana dioda | NE |
| Ku?ite | TO220 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 198 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 1200 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |
- : 2302
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW21-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
13 Product(s) Sold
- 539 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 469 RSD
Nema na lageruOdlican, optoizolovani jednokanalni Mosfet i Igbt drajver (driver) je idealan za kontrolu gejta u i..
211 RSD
Nema na lageruUltra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umere..
475 RSD
Nema na lageruUltra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umere..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD