Sekcija 1. Osnove Gejt-drajva Postoji neko nezvanično takmičenje izmedju Igbt i Mosfet proizvoda. Igbt je od osamdesetih godina do danas evoluirao više puta. Neki proizvodjači izbacuju već sedmu generaciju, što nikako ne znači da je industrija Mosfet-ova na izdisaju, čak naprotiv. U ovom i narednim tekstovima ćemo objasniti sve režime rada Igbt-a.Prvo treba da upoznamo strukturu Igbt-a na sl. 1 Gde je G= Gate. A= Kolektor, K= Emiter, Rs= Paralelni otpornik (shunt). Struktura Igbt-a je kombinacija P+ sloja dodatog na Mosfet (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor) strukturu...