Igbt GT50J341
Igbt GT50J341
GT50J341 je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora. U kućištu je integrisana zaštitna dioda Tf= 0,15uS!. Često ga možete susresti u inverterskim aparatima za zavarivanje, ali je takodje dobar izbor za sve elektronske hobi i profesionalne projekte.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 100 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 200 / 100 |
Kućište |
| TO-3P(N) |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 50 |
| Integrisana dioda | DA |
| Kućište | TO3P |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 200 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |
- : 1905
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW35-b
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
0 Product(s) Sold
- 594 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 541 RSD
GT40J322 je N-kanalni Igbt iz porodice Toshiba koji ima usku primenu u strujnim rezonantnim inverter..
818 RSD
GT30J101 je treća generacija N-kanalnog Igbta predvidjen za upotrebu u svim prekidačkim aplikacijam..
772 RSD
GT40QR21 je RC-Igbt šeste generacije sa zaštitnom diodom, te je primarna namena ovog Toshiba tranzis..
898 RSD
GT40RR21 je takodje Igbt šeste generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, ..
917 RSD
GT40WR21 je jos jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidjen za..
1.039 RSD