Igbt GT50N322A
Igbt GT50N322A
je jo� jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt pete generacije je predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije,
sa ugradjenom za�titnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora.
U ku?i�tu je integrisana za�titna dioda. Temperatura spoja Tj= 175�C ( max ).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1000V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 �C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 100 �C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 120 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 156 / 80 |
Ku?i�te |
| 2-16C1C |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25C "A" | 50 |
| Integrisana dioda | DA |
| Ku?ite | 2-16C1C |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 156 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 1000 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |
- : 2120
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW34-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
0 Product(s) Sold
- 915 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 832 RSD
GT40RR21 je takodje Igbt este generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, ..
917 RSD
GT50J341 je jo jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt este generacije je predvidjen za..
594 RSD
GT40WR21 je jos jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt este generacije je predvidjen za..
1.039 RSD
Nema na lageruGT50J34 je jo jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt este generacije je predvidje..
725 RSD
GT50MR21 je jo jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt este generacije je predvidj..
915 RSD