Igbt HGTG12N60A4
Igbt HGTG12N60A4D
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni.Možete ga sresti u Varstroj, Telwin i drugim aparatima za zavarivanje u paralelnom vezivanju. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 54 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 23 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 96 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 167 |
Kućište |
| TO-220AB |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 54 |
| Integrisana dioda | NE |
| Kućište | TO220AB |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 167 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |