Igbt IGW50N60H3

Nema na lageru

Igbt IGW50N60H3

Koristeći Fairchildov  dizajn,  superiornu provodljivost I prekidačke karakteristike, ovaj  “ power Igbt “  je svojom robusnošću, a pre svega mogućnost podnošenja visokih struja, primarno predvidjen za aplikacije solarnih invertera, aparata za zavarivanje, UPSova, te kao rezervna aktivna elektronska komponenta, kako  za servis inverterskih uredjaja, tako i za nove profesionalne i hobi elektronske projekte. Takodje je prikladan za paralelno povezivanje.


Vce (napon kolektor-emiter)

(V)

 600V

+/-Vge (napon gejt-emiter)

(V)

 20

Ic (struja kolektora) na  25 °C   

(A)

   120

Ic (struja kolektora) na 100 °C   

(A)

     60

Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.)

(A)

   180

Ukupna snaga disipacije  25 °C / 100 °C

(W)

   378 / 151

Kućište

 

TO-247


Igbt
Ic (struja kolektora) na 25°C "A"100
Integrisana diodaNE
KućišteTO247
P (ukupna snaga disipacije) "W"333
Vce (napon kolektor-emiter) "V"600
Vge (napon gejt-emiter) "V"20

Napišite ocenu

Napomena: HTML oznake neće biti izvršene i prikazivaće se kao tekst!
    Loš           Dobar

58 Product(s) Sold
  • 548 RSD
  • 5 ili više komada dobijate po ceni: 488 RSD

Tagovi: igbt, igw50n60h3, tranzistori