Igbt IHW20R120R3
Igbt IHW20R1202
Infineon-ov Igbt iz serije tranzistora za rezonantne prekida?ke aplikacije uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, poseduje vrlo iroku distribuciju parametara kao i temperaturnu stabilnost uz odranje mehani?ke ?vrsto?e. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, to mu daje mogu?nost upotrebe u veoma irokom dijapazonu razli?itih aplikacija (Induktivno kuvanje, inverterske mikrotalasne pe?nice, rezonantni konverteri, aplikacije sa ''mekim'' prekidanjem itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 40 |
Ic (struja kolektora) na 110 C | (A) | 20 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 60 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 310 / 155 |
Ku?ite |
| TO-247 |
- : 2750
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW30-b
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
74 Product(s) Sold
- 673 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 594 RSD
Driver TD352 ST kompanije uradjen u naprednoj tehnologiji poseduje aktivnu "Miller clamp" tehno..
499 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Nema na lageruUltra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umere..
475 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD