Igbt HGTG30N60A4
Nema na lageru
Igbt HGTG30N60A4
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 75 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 60 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 240 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 463 / 230 |
Ku?ište |
| TO-247 |
- : 2936
- Brend: Inverter Elektronika
- Å ifra artikla: YW3-ab
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
317 Product(s) Sold
- 521 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 469 RSD
Uz superiornu provodljivost I prekida?ke karakteristike (velika brzina prekidanja), odli?an je..
607 RSD
Nema na lageru
Nema na lageruOvaj SMPS N-kanalni Igbt, kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta,kao i&nb..
455 RSD
Nema na lageruKoriste?i
Fairchildov dizajn, superiornu provodljivost I prekida?ke
karakteristike, ov..
594 RSD
2SK1217 Fuji-jev N-kanalni Mos-fet sa zaštitnom diodom je generalno namenjen za sve prekida?ke aplik..
440 RSD