Igbt HGTG40N60A4
Nema na lageru
Igbt HGTG40N60A4
Ovaj SMPS N-kanalni Igbt, kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta,kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 75 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 63 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 300 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 625 |
Kućište |
| TO-247 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 75 |
| Integrisana dioda | NE |
| Kućište | TO247 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 625 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |
- : 2782
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW18-a
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
129 Product(s) Sold
- 455 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 416 RSD
Uz superiornu provodljivost I prekidačke karakteristike (velika brzina prekidanja), odličan je..
607 RSD
Nema na lageruOvaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..
521 RSD
Nema na lageruKoristeći
Fairchildov dizajn, superiornu provodljivost I prekidačke
karakteristike, ov..
594 RSD
2SK1217 Fuji-jev N-kanalni Mos-fet sa zaštitnom diodom je generalno namenjen za sve prekidačke aplik..
440 RSD
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..
495 RSD