Igbt IKW20H603
Nema na lageru
Igbt IKW20H603
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivaju?om antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnoenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, to mu daje mogu?nost upotrebe u veoma irokom dijapazonu razli?itih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 40 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) | 20 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 120 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 187 |
Ku?ite |
| TO-247-3 |