Igbt IKW20H603
Nema na lageru
Igbt IKW20H603
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 40 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 20 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 120 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 187 |
Kućište |
| TO-247-3 |