Igbt IKW30T60
Igbt IKW30T60 IKW30N60T
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 60 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 90 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 187 |
Kućište |
| TO-247-3 |
- : 2230
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW31-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
21 Product(s) Sold
- 594 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 541 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
519 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V pod punom strujom opterećenja od 48A), ura..
634 RSD
Infineon-ov Igbt iz serije tranzistora za rezonantne prekidačke aplikacije uradjen u TRENCHSTOP..
673 RSD