Igbt IXSH30N60B2D1

Igbt IXSH30N60B2D1 (IGBT tranzistori) - www.elektroika.co.rs

Igbt IXSH30N60B2D1

''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V pod punom strujom opterećenja od 48A), uradjen u HDmos tehnologiji druge generacije. Odlikuje ga stabilna održivost napona i na visokim temperaturama. Najčešće aplikacije su: Kontrola brzine AC motora, UPS, monofazni inverterski aparati za zavarivanje itd.



Vce (napon kolektor-emiter)

(V)

600V

+/-Vge (napon gejt-emiter)

(V)

 20

Ic (struja kolektora) na  25 °C   

(A)

  48

Ic (struja kolektora) na 110 °C   

(A)

  30

Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.)

(A)

90A/25°C 

Ukupna snaga disipacije  25 °C 

(W)

   445

Kućište

 

TO-247   

Napišite ocenu

Napomena: HTML oznake neće biti izvršene i prikazivaće se kao tekst!
    Loš           Dobar

9 Product(s) Sold
  • 634 RSD
  • 5 ili više komada dobijate po ceni: 574 RSD

Tagovi: igbt, ixsh30n60b2d1, tranzistori