Igbt IKW40N120T2
+381 64 3268872
Igbt IKW40N120T2
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 10uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 75 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 40 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 160 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 480 |
Kućište |
| TO-247 -3 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 75 |
| Integrisana dioda | DA |
| Kućište | TO247 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 480 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 1200 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |