Igbt IRG4PC50S
Nema na lageru
Igbt IRG4PC50S
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivaju?om antiparalelnom EmCon (Emiter controlled) HE diodom. Vreme podno�enja kratkog spoja je 10uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, �to mu daje mogu?nost upotrebe u veoma �irokom dijapazonu razli?itih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 �C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 100 �C | (A) | 25 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 75 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 190 |
Ku?i�te |
| TO-247AC |
- : 2291
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW5-c
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
29 Product(s) Sold
- 519 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 462 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umere..
581 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umere..
359 RSD