Igbt SGB15N60HS
Igbt SGB15N60HS
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, ?ije su prednosti: Mogu?nost paralelnog povezivanja, umereno pove?anje Eoff sa temperaturom (?ak 30% nii od prethodne generacije) i veoma iroka distribucija parametra.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 27 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) | 15 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 60 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 138 |
Ku?ite |
| TO-263AB |