Igbt IXEN60N120
Nema na lageru
Igbt IXEN60N120
IXYS-ov Igbt u mini blok pakovanju poseduje mnoge prednosti kao to su: Nizak napon zasi?enja, pozitivni temperaturni koeficijent (prednost pri paralelnom spoju), brzo prekidanje, niska struja curenja itd (Igbt sa ovom oznakom zahteva spoljanju ''frewheeling'' diodu). irok spektar aplikacija pokazuje prednost ovog tranzistora, od kojih izdvajamo: Indukciono grejanje, napojne jedinice, UPSovi, H-mostove, trofazne mostove, jednostavne prekida?ke aplikacije i mnoge druge.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 100 |
Ic (struja kolektora) na 90 C | (A) | 65 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 100A/125C |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 445 |
Ku?ite |
| SOT-227B |
- : 2803
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW38-a
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
3 Product(s) Sold
- 5.148 RSD
- 2 ili više komada dobijate po ceni: 4.752 RSD
Najnoviji Infineon-ov jednokanalni galvanski izolovan Igbt drajver (driver), za Igbt-ove napona 600/..
693 RSD
Optoizolovani Mosfet i Igbt drajver je idealan za kontrolu gejta u inverterskoj kontroli rada motora..
634 RSD
IXDN430 je gejt drajver (driver) vredan svakog uloenog dinara, velike brzine, velike struje, posebn..
1.948 RSD
2SK1217 Fuji-jev N-kanalni Mos-fet sa zatitnom diodom je generalno namenjen za sve prekida?ke aplik..
440 RSD
Prava poslastica me?u operacionim poja?alima, upotrebljiv u aplikacijama koje zahtevaju visok standa..
13 RSD