Igbt IXSH45N120

Igbt IXSH45N120

''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasi?enja (3V pod punom strujom optere?enja od 75A), uradjen u HDmos tehnologiji druge generacije. Odlikuje ga stabilna odrivost napona i na visokim temperaturama. Naj?e?e aplikacije su: Upravljanje robotima, Kontrola brzine AC motora, UPS, trofazni inverterski aparati za zavarivanje itd.



Vce (napon kolektor-emiter)

(V)

1200V

+/-Vge (napon gejt-emiter)

(V)

 20

Ic (struja kolektora) na  25 C   

(A)

 75

Ic (struja kolektora) na 110 C   

(A)

  45

Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.)

(A)

180

Ukupna snaga disipacije  25 C 

(W)

   300

Ku?ite

 

TO-247   

Igbt
Ic (struja kolektora) na 25C "A"75
Integrisana diodaNE
Ku?iteTO247
P (ukupna snaga disipacije) "W"300
TIPN-kanalni
Vce (napon kolektor-emiter) "V"1200
Vge (napon gejt-emiter) "V"20

Napišite ocenu

Napomena: HTML oznake neće biti izvršene i prikazivaće se kao tekst!
    Loš           Dobar

100 Product(s) Sold
  • 871 RSD
  • 5 ili više komada dobijate po ceni: 812 RSD

Tagovi: igbt, ixsh45n120, tranzistori