Igbt HGTG20N60B3D
Igbt HGTG20N60B3D
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state’’ gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta, moze se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.
PDF preuzmite ovde:
http://datasheetz.com/data/Discrete%20Semiconductor%20Products/IGBTs%20-%20Single/HGTG20N60B3D-datasheetz.html
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 40 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 20 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 160 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 165 |
Kućište |
| TO-247 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 40 |
| Integrisana dioda | DA |
| Kućište | TO247 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 160 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |
