GT50J341

Igbt GT50J341

Novo IGBT

Opis

GT50J341 je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora. U kućištu je integrisana zaštitna dioda Tf= 0,15uS!. Često ga možete susresti u inverterskim aparatima za zavarivanje, ali je takodje dobar izbor za sve elektronske hobi i profesionalne projekte.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	2700 pF
Integrisana dioda	Da (FRD između emitera i kolektora)