← Nazad

Inverter Elektronika

GT50N324

Šifra artikla: YWc35

Igbt GT50N324

Novo IGBT
605.62 RSD

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor) 1000 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C 50 A
Kućište 2-16C1C
Cies (ulazni kapacitet) 5500 pF
Integrisana dioda FRD sa trr = 0.8 μs
Preuzmi datasheet