Elektronske komponente i industrijska automatizacija
Igbt GT50N324
Novo IGBT| Vces (napon kolektor-emitor) | 1000 V |
| Ic (struja kolektora) na 25 °C | 50 A |
| Kućište | 2-16C1C |
| Cies (ulazni kapacitet) | 5500 pF |
| Integrisana dioda | FRD sa trr = 0.8 μs |