IKW25T120

Igbt IKW25T120

Novo IGBT

Opis

Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 10uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, itd).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	25 A
Kućište	PG-TO-247-3
Cies (ulazni kapacitet)	1860 pF
Integrisana dioda	Emitter Controlled HE dioda sa brzom oporavkom