GT60M303

Igbt GT60M303

Novo IGBT

Opis

GT60M303 je izuzetno snažan N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekidačkim aplikacijamavelike snage. Popularan izbor Toshibinog tranzistora ćete naći u mnogim inverterskim uredjajima kao što su trofazni aparati za zavarivanje, AC/DC i DC/DC konverteri, te je pogodan za mnoge profesionalne i hobi elektronske projekte. Maksimalna brzina prekidanja je 0,25uS, te u paralelnoj vezi može zameniti mnogo jače module.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	900 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	60 A
Kućište	JEDEC 2-21F2C
Cies (ulazni kapacitet)	3800 pF
Integrisana dioda	Da