IR2110S

Drajver IR2110S

Novo IGBT/MOSFET drajveri

Opis

Visoko-naponski Mosfet ili Igbt drajver (driver), predvidjen za izuzetno brze N-kanalne Mosfet ili Igbt tranzistore Ili module u visoko frekventnim aplikacijama. Operativan do 500V ili 600V. Kućišste – SOIC-16 Vs = 20V I = 2A