IKW50N60T K50T60

Igbt IKW50N60T K50T60

Novo IGBT

Opis

Infineon-ov Igbt , uradjen u TRENCHSTOP i FIELDSTOP tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	PG-TO247-3
Cies (ulazni kapacitet)	3140 pF
Integrisana dioda	Emitter Controlled HE dioda sa brzim oporavkom