SGT40N60NPFD

Igbt SGT40N60NPFD

Novo IGBT

Opis

SMPS Igbt sa ugrađenom antiparalelnom hiperbrzom diodom, ima primenu u kontroli indukcionog grejanja, UPS-ovima, kontroli faktora snage itd.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-3P
Cies (ulazni kapacitet)	1850 pF
Integrisana dioda	FRD sa Vfm=1.9 V (tipično na 20A)