TGAN60N60F2DS

Igbt TGAN60N60F2DS

Novo IGBT

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	120 A
Kućište	TO-3PN
Cies (ulazni kapacitet)	3250 pF
Integrisana dioda	Da