IGW50N60H3

Igbt IGW50N60H3

Novo IGBT

Opis

Koristeći Fairchildov dizajn, superiornu provodljivost I prekidačke karakteristike, ovaj “ power Igbt “ je svojom robusnošću, a pre svega mogućnost podnošenja visokih struja, primarno predvidjen za aplikacije solarnih invertera, aparata za zavarivanje, UPSova, te kao rezervna aktivna elektronska komponenta, kako za servis inverterskih uredjaja, tako i za nove profesionalne i hobi elektronske projekte. Takodje je prikladan za paralelno povezivanje.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	PG-TO247-3
Cies (ulazni kapacitet)	2960 pF
Integrisana dioda	Vrlo brz oporavak anti-paralelne diode (IKW50N60H3)