SGB10N60A

Igbt SGB10N60A

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umereno povećanje Eoff sa temperaturom (Čak 30% niži od prethodne generacije) i veoma široka distribucija parametra.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	10 A
Kućište	PG-TO-263-3-2
Cies (ulazni kapacitet)	1500 pF