IRG4PH50UD

Igbt IRG4PH50UD

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi IR (International rectifier) Igbt poslednje generacije,optimizovan za rad na frekvencijama do 40 kHz u klasičnom On-Of modu i preko 200 kHz u rezonantnom modu.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	45 A
Kućište	TO-247AC
Cies (ulazni kapacitet)	3600 pF
Integrisana dioda	HEXFREDTM ultrabrza dioda sa soft recovery