IRG4BC30UD

Igbt IRG4BC30UD

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi IR (International rectifier) Igbt četvrte generacije,optimizovan za rad na visokim frekvencijama (8-40 khz) u direktnom On-Of modu, i preko 200kHz u rezonantnom modu.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	23 A
Kućište	TO-220AB
Cies (ulazni kapacitet)	1100 pF
Integrisana dioda	HEXFRED ultrabrza dioda sa soft-recovery karakteristikama