Elektronske komponente i industrijska automatizacija
Igbt GT30J122A
Novo IGBTGT30J122A je četvrta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proizveden za upotrebu u strujno rezonantnim inverterskim aplikacijama i delimično prekidajućim aplikacijama za korekciju faktora snage,te se ne preporučuje za druge upotrebe.
| Vces (napon kolektor-emitor) | 600 V |
| Ic (struja kolektora) na 25 °C | 100 A |
| Kućište | TO-3P(N) |
| Cies (ulazni kapacitet) | 2500 pF |