Pretraga

Igbt GT50MR21

GT50MR21 je jo� jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt �este generacije je predvidj..

915 RSD

Igbt GT50N322A

je jo� jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt pete generacije je predvidjen za napo..

915 RSD

Nema na lageru

Igbt GT50N324

Vce (napon kolektor-emiter)(V)1000V+/-Vge (napon gejt-emiter)(V) 25Ic (struja ko..

606 RSD

Igbt GT50NR21

GT50NR21 je jo� jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt �este generacije je predvidj..

502 RSD

Igbt GT60M104

GT60M104 je izuzetno sna�an N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekida?kim aplikaci..

829 RSD

Igbt GT60M303

GT60M303 je izuzetno sna�an N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekida?kim aplikaci..

898 RSD

Igbt GT60N321

GT60N321 je izuzetno sna�an N-kanalni Igbt ?etvrte generacije, predvidjen za upotrebu u svim p..

832 RSD

Igbt GT60PR21

GT60PR21 je takodje Igbt �este generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, ..

871 RSD

Igbt HGTG12N60A4

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state..

515 RSD

Igbt HGTG12N60A4D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state..

482 RSD

Nema na lageru

Igbt HGTG20N60A4

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state..

521 RSD

Igbt HGTG20N60A4D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state..

515 RSD

Igbt HGTG20N60B3D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state..

422 RSD

Nema na lageru

Igbt HGTG30N60A4

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state..

521 RSD