Pretraga

Igbt GT50MR21

GT50MR21 je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidj..

915 RSD

Igbt GT50N322A

je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt pete generacije je predvidjen za napo..

915 RSD

Nema na lageru

Igbt GT50N324

Vce (napon kolektor-emiter)(V)1000V+/-Vge (napon gejt-emiter)(V) 25Ic (struja ko..

606 RSD

Igbt GT50NR21

GT50NR21 je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidj..

502 RSD

Igbt GT60M104

GT60M104 je izuzetno snažan N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekidačkim aplikaci..

829 RSD

Igbt GT60M303

GT60M303 je izuzetno snažan N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekidačkim aplikaci..

898 RSD

Igbt GT60N321

GT60N321 je izuzetno snažan N-kanalni Igbt četvrte generacije, predvidjen za upotrebu u svim p..

832 RSD

Igbt GT60PR21

GT60PR21 je takodje Igbt šeste generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, ..

871 RSD

Igbt HGTG12N60A4

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..

515 RSD

Igbt HGTG12N60A4D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..

482 RSD

Nema na lageru

Igbt HGTG20N60A4

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..

521 RSD

Igbt HGTG20N60A4D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..

515 RSD

Igbt HGTG20N60B3D

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..

422 RSD

Nema na lageru

Igbt HGTG30N60A4

Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i „low on-state..

521 RSD