Igbt GT15J321
Igbt GT15J321
?etvrta generacija Igbt-a se odlikuje velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasi?enja. Konstruisan je sa zatitnom diodom, te se preporu?uje kao pouzdana komponenta u svim aplikacijama koje zahtevaju karakteristike ovog tranzistora.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 15 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 30 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 30 /12 |
Ku?ite |
| TO-220SIS |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25C "A" | 15 |
| Integrisana dioda | DA |
| Ku?ite | TO220SIS |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 30 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |
- : 2467
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW32-a
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
5 Product(s) Sold
- 436 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 389 RSD
GT30J122A je ?etvrta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proiz..
686 RSD
GT30J341 je esta generacija Igbt-a. Primena ovog tranzistora je isklju?ivo za aplikacije za kontrol..
502 RSD
GT40QR21 je RC-Igbt este generacije sa zatitnom diodom, te je primarna namena ovog Toshiba tranzis..
898 RSD
Nema na lageruGT50JR22 je esta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskl..
568 RSD
Nema na lageruSilikonski N-kanalni Igbt sa velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasi?enja, niskom strujom cur..
127 RSD