Igbt GT50JR22
Igbt GT50JR22
GT50JR22 je šesta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proizveden za upotrebu u strujno
rezonantnim inverterskim aplikacijama i delimi?no prekidaju?im aplikacijama za korekciju faktora snage,te se ne preporu?uje
za druge upotrebe.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 44 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 100 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 230 / 115 |
Ku?ište |
| TO-3P(N) |
Igbt | |
Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 50 |
Integrisana dioda | DA |
Ku?ište | TO3P |
P (ukupna snaga disipacije) "W" | 230 |
TIP | N-kanalni |
Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |