Igbt GT30J122A
Igbt GT30J122A
GT30J122A je četvrta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proizveden za upotrebu u strujno rezonantnim inverterskim aplikacijama i delimično prekidajućim aplikacijama za korekciju faktora snage,te se ne preporučuje za druge upotrebe.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 100 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 120 |
Kućište |
| TO-3P(N) |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 30 |
| Integrisana dioda | NE |
| Kućište | TO3P |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 120 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |
- : 1866
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW33-b
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
2 Product(s) Sold
- 686 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 620 RSD
GT40J322 je N-kanalni Igbt iz porodice Toshiba koji ima usku primenu u strujnim rezonantnim inverter..
818 RSD
GT30J341 je šesta generacija Igbt-a. Primena ovog tranzistora je isključivo za aplikacije za kontrol..
502 RSD
Nema na lageruGT50JR22 je šesta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskl..
568 RSD
Četvrta generacija Igbt-a se odlikuje velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasićenja. Kons..
436 RSD
Ultra brzi (0.27us brzina prekidanja) Igbt šeste generacije, isključivo proizveden za upotrebu ..
317 RSD