Igbt GT20J121
Igbt GT20J121
Ultra brzi (0.27us brzina prekidanja) Igbt este generacije, isklju?ivo proizveden za upotrebu u strujno rezonantnim inverterskim aplikacijama i djelimi?no prekidaju?im aplikacijama za korekciju faktora snage, te se ne preporu?uje za druge upotrebe.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 80 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 40 |
Ku?ite |
| TO-220SIS |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25C "A" | 20 |
| Integrisana dioda | NE |
| Ku?ite | TO220SIS |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 40 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |
- : 2409
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW32-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
2 Product(s) Sold
- 317 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 284 RSD
GT40J322 je N-kanalni Igbt iz porodice Toshiba koji ima usku primenu u strujnim rezonantnim inverter..
818 RSD
GT30J122A je ?etvrta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proiz..
686 RSD
GT40QR21 je RC-Igbt este generacije sa zatitnom diodom, te je primarna namena ovog Toshiba tranzis..
898 RSD
Nema na lageruGT50JR22 je esta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskl..
568 RSD
Nema na lageruUltra brzi IR (International rectifier) Igbt poslednje generacije,optimizovan za rad na frekve..
502 RSD