Igbt IKW30T60
Igbt IKW30T60 IKW30N60T
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivaju?om antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnoenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, to mu daje mogu?nost upotrebe u veoma irokom dijapazonu razli?itih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 C | (A) | 60 |
Ic (struja kolektora) na 100 C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 90 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 187 |
Ku?ite |
| TO-247-3 |
- : 2423
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW31-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
21 Product(s) Sold
- 594 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 541 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
Nema na lageruInfineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
519 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasi?enja (2,5V pod punom strujom optere?enja od 48A), ura..
634 RSD
Infineon-ov Igbt iz serije tranzistora za rezonantne prekida?ke aplikacije uradjen u TRENCHSTOP..
673 RSD