GT40RR21

Igbt GT40RR21

Novo IGBT

Opis

GT40RR21 je takodje Igbt šeste generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, za visoko naponsko prekidanje strujnog kola, sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1350 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	1500 pF
Integrisana dioda	Da (RC-IGBT sa monolitski integrisanom dijaikom)