GT50J342

Igbt GT50J342

Novo IGBT

Opis

GT50J34 je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt šeste generacije je predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora. U kućištu je integrisana zaštitna dioda. Temperatura spoja Tj= 175°C ( max ). Često ga možete susresti u inverterskim aparatima za zavarivanje, ali je takodje oličan izbor za sve elektronske hobi i profesionalne projekte.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	80 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	4800 pF
Integrisana dioda	Uključena između emitora i kolektora