GT50JR22

Igbt GT50JR22

Novo IGBT

Opis

GT50JR22 je šesta generacija Igbt-a, te se odlikuje velikom brzinom prekidanja, iskljucivo proizveden za upotrebu u strujno rezonantnim inverterskim aplikacijama i delimično prekidajućim aplikacijama za korekciju faktora snage,te se ne preporučuje za druge upotrebe.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	2700 pF
Integrisana dioda	Da (Freewheeling Diode - FWD)