GT50N322A

Igbt GT50N322A

Novo IGBT

Opis

je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt pete generacije je predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora. U kućištu je integrisana zaštitna dioda. Temperatura spoja Tj= 175°C ( max ).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1000 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	50 A
Kućište	JEDEC 2-16C1C
Cies (ulazni kapacitet)	4000 pF
Integrisana dioda	Da, FRD sa trr = 0.8 µs