GT15J321

Igbt GT15J321

Novo IGBT

Opis

Četvrta generacija Igbt-a se odlikuje velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasićenja. Konstruisan je sa zaštitnom diodom, te se preporučuje kao pouzdana komponenta u svim aplikacijama koje zahtevaju karakteristike ovog tranzistora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	15 A
Kućište	JEDEC 2-10R1C
Cies (ulazni kapacitet)	2300 pF
Integrisana dioda	Da (FRD između emitera i kolektora)