RJH60F5DPQ-A0

Igbt RJH60F5DPQ-A0

Novo IGBT

Opis

Tipican Igb tranzistor, koji cete naci u mnogim invertorskim aparatima za zavarivanje. Zbog dobrih prekidackih karakteristikai ugradjene 'clamp' diode, postao je cest izbor kod proizvodjaca invertorskih uredjaja ali i pri konstruisanju hobi i profesionalnih elektronskihuredjaja.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-247A
Cies (ulazni kapacitet)	2780 pF
Integrisana dioda	Prisutna - brza povratna dioda