SGP07N120

Igbt SGP07N120

Novo IGBT

Opis

Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umereno povećanje Eoff sa temperaturom (Čak 30% niži od prethodne generacije) i veoma široka distribucija parametra. Primarna namena mu je u konstrukciji SMPS uredjaja, svi inverterski uredjaji, kao i u kontroli rada motora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	8 A
Kućište	PG-TO-220-3-1
Cies (ulazni kapacitet)	720 pF
Integrisana dioda	Da