NGB8204N

Igbt NGB8204N

Novo IGBT

Opis

''High speed'' N-kanalni Igbt sa integrisanom gejt-emiter ESD zaštitom, kao i prenaponskom zaštitom, a sve u svrhu korišćenja u induktivim opterećenjima (namotaji releja i slično).

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	430 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	18 A
Kućište	D2PAK
Cies (ulazni kapacitet)	800 pF
Integrisana dioda	Da