IXSH30N60B2D1

Igbt IXSH30N60B2D1

Novo IGBT

Opis

''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V pod punom strujom opterećenja od 48A), uradjen u HDmos tehnologiji druge generacije. Odlikuje ga stabilna održivost napona i na visokim temperaturama. Najčešće aplikacije su: Kontrola brzine AC motora, UPS, monofazni inverterski aparati za zavarivanje itd.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	600 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	48 A
Kućište	TO-247
Cies (ulazni kapacitet)	1220 pF
Integrisana dioda	Da (FRED dioda)