IXEN60N120

Igbt IXEN60N120

Novo IGBT

Opis

IXYS-ov Igbt u mini blok pakovanju poseduje mnoge prednosti kao što su: Nizak napon zasićenja, pozitivni temperaturni koeficijent (prednost pri paralelnom spoju), brzo prekidanje, niska struja curenja itd (Igbt sa ovom oznakom zahteva spoljašnju ''frewheeling'' diodu). Širok spektar aplikacija pokazuje prednost ovog tranzistora, od kojih izdvajamo: Indukciono grejanje, napojne jedinice, UPSovi, H-mostove, trofazne mostove, jednostavne prekidačke aplikacije i mnoge druge.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1200 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	100 A
Kućište	miniBLOC, SOT-227 B
Cies (ulazni kapacitet)	3.8 pF
Integrisana dioda	HiPerFREDTM dioda, VF=2.3-2.7V (60A, 25°C)