IRF5210s

Mosfet IRF5210s

Novo MOSFET

Opis

IRov (International rectfier) P- kanalni Mosfet brzih prekidačkih karakteristika koristi naprednu HEXFET tehnologiju. Prikladan je za generalnu upotrebu u svim visoko efikasnim i zahtevno brzim prekidačkim kolima, a sam tranzistor montiran direktno na štampanu ploču dozvoljava temperaturnu disipaciju do 2W bez dodatnog hladjenja.

Tehničke karakteristike

Tip kanala (N/P)	P-kanalni
Drain-Source Voltage (Vds)	100 V
Continuous Drain Current @ 25°C (Id)	40 A
Kućište	D2Pak / TO-262