IRF640N

Mosfet IRF640N

Novo MOSFET

Opis

IRov (International rectifier) Mosfet pete generacije brzih prekidačkih karakteristika koristi naprednu HEXFET tehnologiju. Prikladan je za generalnu upotrebu u svim visoko efikasnim i zahtevno brzim prekidačkim kolima, a sam tranzistor je predvidjen u uradjijima koji zahtevaju uštedu na prostoru. Pogodan je za paralelnu upotrebu.

Tehničke karakteristike

Tip kanala (N/P)	N-kanalni
Drain-Source Voltage (Vds)	200 V
Continuous Drain Current @ 25°C (Id)	18 A
Kućište	TO-220AB, D2Pak (IRF640NS), TO-262 (IRF640NL)